ناموجود
ناموجود
آی جی بی تی IKD06N60RF
آی جی بی تی IKD06N60RF
Features :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max: : 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage: : 1.65 V
- Maximum Gate Emitter Voltage: : – 20 V, + 20 V
- Continuous Collector Current at 25 C: : 12 A
- Pd – Power Dissipation: : 100 W
* پرداخت آنلاين غير فعال است - سفارش خود را ثيت و نهايي بفرماييد.
* پس از تاييد موجودي و قیمت ، فاكنور و شماره كارت بانكي از طريق اپليكيشن مورد نظر شما و پيامك ارسال مي گردد.
216,000 تومان
ناموجود
توضیحات
آی جی بی تی IKD06N60RF
آی جی بی تی IKD06N60RF
Features :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max: : 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage: : 1.65 V
- Maximum Gate Emitter Voltage: : – 20 V, + 20 V
- Continuous Collector Current at 25 C: : 12 A
- Pd – Power Dissipation: : 100 W
- Minimum Operating Temperature: : – 40 C
- Maximum Operating Temperature: : + 175 C
- Series: : Trenchstop RC
- Gate-Emitter Leakage Current: : 100 nA
- Package / Case: : TO-252-3
- Mounting Style: : SMD/SMT
- Configuration: : Single
نظرات (1)
1 دیدگاه برای آی جی بی تی IKD06N60RF
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
محصولات مرتبط
امیر شریعت –
ماسفتIKD06N60RF یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که برای کاربردهایی مانند سوئیچینگ و کنترل قدرت بالا مناسب است. این ترانزیستور با ولتاژ 600 ولت و جریان 6 آمپر کار میکند و دارای ویژگیهایی مانند کارایی بالا، سرعت بالا، دمای پایین و جریان نویزی کم است.
ترانزیستورهای قدرت MOSFET برای کاربردهایی که به نیروی بالا نیاز دارند، مانند درایورهای موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدلهای DC-DC استفاده میشوند. در برخی از برنامههای کنترلی، این ترانزیستورها با ترانزیستورهای BJT و IGBT همراه هستند.
از مزایای ترانزیستورهای قدرت MOSFET میتوان به کارایی بالا، سرعت بالا، دمای پایین و عدم نیاز به جریان کنترلی بالا اشاره کرد. همچنین، این ترانزیستورها به دلیل جریان نویزی کم، صدای کمتری ایجاد میکنند و میتوانند با ولتاژ کاری پایینتری نسبت به ترانزیستورهای BJT و IGBT کار کنند